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北京科技大学郑新和教授来校讲学

来源: 作者: 发布时间:2020-11-11 15:48:04 浏览次数: 【字体:

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启航网讯    11月9日上午,应学校邀请,北京科技大学郑新和教授在F315室作了题为“高品质半导体III族氮化物薄膜的原子层沉积与应用”的学术报告。报告会由副校长何兴道教授主持,测试与光电工程学院师生参加了此次报告会。

郑新和教授首先介绍了以氮化镓(GaN)为代表的III族氮化物半导体及其低维结构的国内外发展现状,以及在电子封装工程中的应用;其次,报告详细介绍了具有低温生长、覆膜性好以及厚度可以严格控制的原子层沉积(ALD)技术,及其用于III族氮化物的外延生长;最后,报告重点介绍了在硅(Si)、石墨烯/Si、二硫化钼(MoS2)/Si、导电玻璃、蓝宝石等衬底或模板上开展III族氮化物(包括AlN、GaN、InN)的等离子体原子沉积(PEALD)的系统研究和应用。

郑新和教授的报告深入浅出,讲解思路清晰,内容丰富,引起了在座师生的极大兴趣。讲座结束后,郑教授与现场师生进行了互动讨论,气氛十分热烈,大家纷纷针对报告内容和自己科研过程中遇到的问题向郑教授请教,郑教授都作了详细的解答,让大家受益匪浅,赢得了在场师生的一致赞誉和热烈掌声。

最后,副校长何兴道教授对报告会进行了总结发言,对郑教授所作的精彩报告表示感谢,希望在以后常来我校开展学术交流指导,提升我校师生的科研能力。

终审:黄成
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